Photolumineszenz-Mapper NIR
Photolumineszenz-Mapper NIR: Messungen im Spektralbereich von 800-2150 nm zur Charakterisierung von (AlInGa)(AsP)-Heterostrukturen; Mapping ganzer Wafer von 2-6 Zoll (50 mm - 150 mm). Optionen: automatisierte Anregungsdichteabstimmung für Laser 1, Laser 2 (DPSS) für InGaAs-Kontaktbleichung bei Schichtdicken von 50-200 nm, flexibler Probenhalter mit Vakuumklemmung auf dem gesamten Chuck, Halterung für DataRay BladeCam2.
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